莫尔文,PA。Vishay Intertechnology公司在PowerPAK SO-8单封装中推出了一种新的80v沟槽场效应晶体管(TrenchFET) Gen IV n通道功率MOSFET。Vishay Siliconix的SiR680ADP通过提高功率转换拓扑和开关电路的效率来节约能源，提供了129 mΩ*nC的通阻时间栅电荷-功率转换应用中的mosfet的关键优点(FOM)。
该器件结合的通阻低于2.35 mΩ典型的10 V与55 nC和C的超低栅电荷OSS这些规格的微调，以减少功率损失从开关，通道导通，二极管导通，从而提高效率。MOSFET的通阻时间栅电荷FOM比最接近的竞争产品低12.2%，比上一代器件低22.5%，使其成为典型的48v输入到12v输出DC/DC转换器的最有效的解决方案，该公司报告。
SiR680ADP将作为各种DC/DC和AC/DC转换应用的基础模块，如同步整流、初级侧开关、buck-boost变换器、谐振槽开关变换器，以及通信和数据中心服务器电源等系统中的OR-ing功能;太阳能许多独立的;电动工具和工业设备中的电机驱动控制;以及电池管理模块中的电池切换。
MOSFET是100%的RG和ui测试，符合rohs，和无卤素。
SiR680ADP的样品和生产数量现已提供，交货时间为12周。美国交付10000件的价格大约是0.75美元/件。
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