TT电子推出了碳化硅(SiC)功率MOSFET，设计用于高温、功率效率应用，最大结温为+225°C。由于这一操作潜力，该套件具有更高的环境温度能力，因此可以用于应用，包括具有更大环境挑战的分布控制系统，如靠近内燃机的应用。
SML25SCM650N2B具有高功率耗散、低热阻、全封闭、陶瓷SMD1封装，额定电压为25A、650V，与普通Si型mosfet相比，SML25SCM650N2B也确保了更快的开关和低开关损耗。因此，电路中无源元件的尺寸可以减少，从而带来重量和节省空间的好处。在TJ温度为25度时，n通道MOSFET的总功耗为90W。有一系列的筛选选项可供选择。
SML25SCM650N2B适用于需要在高温功率转换拓扑和系统中进行更快切换的应用，它将受到从事工业功率转换应用的设计工程师的青睐，包括石油钻井、分布式管理控制系统、可再生能源应用/功率转换、空间系统和应用。
通过SML25SCM650N2B，新碳化硅技术与高可靠性、行业标准的密封封装技术相结合，再加上TT Electronics著名的基于卢特沃斯的设计和制造能力，为终端客户提供价值和非常高性能。
