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    • SIC晶体管

    突出了

    电源管理

    WBG功率晶体管推动高功率封装
    2015年10月6日
    虽然成本仍然是一个问题，但宽带隙GaN-on-Si和SiC晶体管有望在中端到高端设计中实现低功耗(200 V)和高功率……
    SIC晶体管

    通用高温碳化硅晶体管和整流器
    2015年5月18日
    GeneSiC半导体宣布立即可用的紧凑型，高温SiC结晶体管和整流器线在TO-46金属封装…
    SIC晶体管

    全sic功率模块产生1.7 kV
    2014年12月2日
    Cree, Inc.发布了行业首个全sic 1.7kV功率模块，采用行业标准62mm外壳。
    氮化镓晶体管

    宽带半导体:基础
    2014年7月14日
    在硅材料有限的今天，宽带隙半导体材料正在应对电子产品的热和性能挑战。
    由富士通
    富士通GaN功率器件是建立在6英寸的硅晶圆上的。
    甘斯

    GaN市场预计2016年将快速增长
    2014年7月8日
    预测显示，集成氮化镓的器件将在电源、电动汽车/混合动力汽车和UPS等应用中变得更加普遍。
    离散功率半决赛

    栅极驱动光耦合器驱动SiC功率半导体
    2014年6月20日
    技术优势加上较低的成本，SiC功率半导体在工业电机控制、感应加热和工业……
    离散功率半决赛

    650V 55mohm SiC jfet
    2012年7月27日,
    semi - south实验室推出了业内首款650V 55mΩ SiC jfet
    电源管理

    用于半南正常关闭SiC JFET的隔离门驱动器HADES®
    2012年7月27日,
    CISSOID推出了一个新版本的HADES®，它的交钥匙隔离门驱动参考设计，专门支持半南碳化硅(SiC)，正常断电jfet (SJEP120R100…
    离散功率半决赛

    回到基础:功率半导体
    2012年7月26日,
    电源管理子系统会影响电子系统的可靠性、性能、成本和上市时间。电源管理子系统的关键部件是电源。
    离散功率半决赛

    具有直接驱动技术的1200V SiC JFET系列
    2012年7月20日
    英飞凌科技推出了新的CoolSiC(tm) 1200V SiC JFET系列产品。
    Baidu