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亚太经合组织以大量的产品披露拉开序幕

2015年3月16日,
3月16日星期一,IEEE应用电力技术会议(APEC)在美国北卡罗来纳州夏洛特市开幕,会上发布了一系列产品,从顶部冷却技术到Rogowski电流探头,再到GaN级联码晶体管。

在过去的几个月里,“暴风雪”这个词可能会引发一些创伤后寒颤。不过,工程师们很快就会对今年3月16日星期一在北卡罗来纳州夏洛特市开幕的IEEE应用电力技术大会上发布的大量产品公告热情起来。以下是我发现的五个特别有趣的产品:

ON/Transphorm团队介绍了级联码晶体管

在半导体Transphorm联合推出了600v GaN级联码晶体管,以及利用该器件的240w参考设计。如果你对级联码晶体管配置与电力设备的关系感到好奇,请查看“通过级联码配置,交换机切换频率更快,损耗更低这不是ON或Transphorm写的,但这是我见过的最清晰的解释。

这两个新的晶体管的型号分别是NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS),而评价板被称为NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)。据公告称,它的升压级在200 kHz以上时可提供98%的效率。访问ON Semiconductor的网站获取完整的文档。

GaN Systems的新型冷却技术

氮化镓系统为其增强模式设备推出了一项新的顶部冷却技术。顶部冷却有利于使用印刷电路板冷却技术。氮化镓(GaN)功率晶体管使用了该公司的专有岛屿技术,该技术的模具由岛屿组成,而不是传统的手指。该公司声称,它增强了电流处理,减少电感,并缩小了模具尺寸。额定电流范围从8到250 A。

性能的关键是GaN Systems独特的“GaN”PX“包装技术。模具被嵌入到层压板结构中,一系列的电解工艺取代了传统的夹子、线键和成型化合物。

来自PEM的Rogowski电流探头

说到测量GaN和SiC (SiC)半导体中的瞬态电流,电力电子测量有限公司(PEM)选择了APEC来介绍其CWT MiniHF Rogowski电流探头。该设备采用了一种独特的屏蔽技术,使用了低灵敏度线圈和获得专利的低噪声信号调理电路。探头体积小,但在100毫米线圈上可提供高达30 MHz的3-dB带宽。线圈本身只有4.5毫米厚,即使提供5千伏的绝缘。最大电流斜率为100 kA/µs。

如果你不熟悉Rowgowski线圈,以及它们与其他当前测量方法的比较,请参阅这篇文章。”电流测量元件及方法“,”。

Vicor引用DC-ZVS“DCM”转换器的93%效率

DCM Converter Module系列隔离、调节的dc-dc转换器现在提供24,28,48,270,290和300v的名义输入电压,48,36,28,24,15,12和5v的名义输出。额定功率范围为600w。目标应用包括航空航天、EV/HEV、坚固系统、工业和电信/数据通信。Vicor的分布式电源的方法是独一无二的(有关详细信息,请参阅“架构设计能力设计成功”)。

该公司表示,通过使用上述文章中描述的DC-ZVS拓扑结构,设计人员可以达到93%的典型效率。最重要的是,功率密度比传统的dc-dc转换器可以实现的要好两倍以上。

爱立信推进PoL性能

采用更传统的分布式发电方式,爱立信以网络处理器为核心的新型两阶段90-A数字负载点(PoL) dc-dc电源模块。BMR465提供无补偿性能和并联连接模块的能力,提供高达360 A。

这些能力针对的是未来软件定义的电力体系结构(SDPA)系统。电力系统设计者预计,到2020年,这种系统将成为实现高效和能源优化的网络结构的关键。

遵循PMBus命令的BMR465已经集成到爱立信Power Designer软件中,使得设计人员可以很容易地模拟和配置完整的多模块和多相系统。

新的pol提供“无补偿”调制技术,提供稳定性,精确的线路和负载调节,以及良好的瞬态性能。非线性充电模式控制保证控制回路始终稳定,负载阶跃响应发生在单个开关周期内。因此,在12v输入和1.8 v输出时,半负载效率为94.3%。

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