适用于电动助力转向(EPS)、直流-直流转换器、电机驱动器和负载开关，东芝美国电子元件公司宣布了一种新的汽车n通道功率mosfet产品线。两者都具有低导通电阻:TK160F10N1是一个100-V, 160-A MOSFET，而TK200F04N1L是一个40-V, 200-A级MOSFET。这两款芯片在TO-220SM(W)封装中都采用了U-MOSVIII-H工艺，通过内部连接器减少了其限制。
U-MOSVIII-H工艺也有助于处理开关操作中的尖峰噪声或振荡，因此有助于降低EMI噪声。此外，当用于大型电机或开关应用时，mosfet可以减少传导损耗。两种器件均具有低热阻Rth (ch-c)= 0.4°C/W (max)和175°C最大通道温度额定值。
在其他东芝新闻中，该公司最近宣布了TPD7104F，一个单通道，高边，n通道功率MOSFET栅极驱动器。该IC具有自包含电荷泵，增强了n通道MOSFET开关，消除了对外部组件的需要。它适用于使用12v电池操作mosfet的汽车应用，如空闲停止和电动助力转向系统。
