International整流器扩展了其60 v StrongIRFET功率mosfet家族，具有超低通态电阻，为工业应用设计了各种标准和性能的功率封装。在新的mosfet中是IRF7580M，它被封装在一个低轮廓，高电流密度，中Can (ME) directet封装适合空间有限，高功率工业设计。它具有无线粘结结构，以提高可靠性性能。符合rohs标准的directet封装将适用于长生命周期设计。另一种高性能封装采用RoHS豁免7(a)下的铅模附加，该豁免将于2016年到期。整个家族的19个StrongIRFET功率mosfet保持高载流能力，一个软体二极管，和3-V典型的阈值电压，以提高噪声抗扰度。每一个都是100%雪崩测试在最高雪崩电流水平，以确保稳健性。MOSFET家族的其他封装类型包括D2-PAKs, D2-PAK-7s, PQFNs, to -220和TO-247s。具体应用范围包括电动工具、轻型电动汽车(LEV)逆变器、直流电机驱动、锂离子电池组保护和开关模式电源(SMPS)二次侧同步整流。
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