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    低压功率MOSFET减少满足效率需求的损耗

    2014年5月23日
    在半导体上优化了六个新的N沟道功率MOSFET的设计，材料和封装，以提供0.7MΩ和3780-PF输入电容的RDS（ON）。
    职员

    在半导体上优化了六个新的N沟道功率MOSFET的设计，材料和包装，以提供rDS（开）0.7MΩ和3780-PF输入电容。结果，该装置最小化导通，切换和驱动器损耗，从而提高了更高的效率。根据该公司的说法，NTMFS4HXXX和NTTFS4HXXX系列MOSFET还提供了与现有产品相比的热性能和低封装电阻和电感。应用包括服务器和网络设备，以及高功率密度DC-DC转换器。它们还支持负载点（POL）模块中的同步整流。NTMFS4H01N，NTMFS4H01NF，NTMFS4H02N和NTMFS4H02NF MOSFET容纳在S08-FL封装中。NTTFS4H05N和NTTFS4H07N具有μ8-FL包装。所有MOSFET都有或没有肖特基二极管。

    在半导体上

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