由富士通
富士通GaN电源装置建在六英寸Si晶圆上。

甘市场预计2016年的快速增速

2014年7月8日
预测显示,集成氮化镓的器件将在电源、电动汽车/混合动力汽车和UPS等应用中变得更加普遍。

市场研究公司Yole开发署该公司最新发布的“功率GaN市场”报告预测,到2020年,氮化镓(GaN)器件的市场规模将达到6亿美元,即大约58万片6英寸晶圆。Yole的业务部门高级经理Philippe Roussel博士表示,基于电动汽车/混合动力电动汽车(ev / hev)将在2018-2019年开始采用氮化氮的假设,从2016年开始,到2020年的复合年增长率(CAGR)预计将达到80%。

当被问及GaN在EV / HEV竞技场中的角色时,汽车制造商积极回答,尽管资格时间长(市场时间放缓),但EVS / HEVS为该技术提供了良好的着陆点。汽车制造商将在一开始就定位DC-DC转换器,并考虑使用GaN进行电池充电器。此时仍然不清楚GaN是否可以承受EVS / HEV所需的80千瓦电源。

电源/功率因数 - 校正(PFC)段预计将于2015 - 2018年占据甘市场,占设备销售的50%。yole说,到细分的“条纹”结束时,汽车可能会赶上。

“市场巨大,代表了一小部分业务,”Roussel说。“但是,当用GaN解决方案的yoleDefelopecement的成本模拟完成时,它的工作量很好。GaN将节省资金,因为它将减少允许以更高频率执行功能的设备数量。“

GaN的投资回报时间大约是6个月,而PFC在开始时要贵一些。然而,随后可以降低成本,在效率方面节省1-2%。到2020年,氮化镓技术也可能在UPS应用中占据15%的市场份额。

对于汽车驱动应用,汽车制造商不太可能承担额外的成本。因此,实施像GaN这样的新技术的激励措施必须是强有力的。由于转换效率的可能提高,以及2018年与硅解决方案的预期价格平价,报告预计GaN在电机控制领域的应用将在2015-2016年逐步启动,到2020年将达到4500万美元。

由于其更好的价格定位,Roussel在碳化碳(SiC)上的影响将在碳化硅(SIC)上:“GaN会显然更换SiC,并且SiC自然地移动到更高的电压。在600 v,GaN有更大的机会,一旦600 V GaN准备好并合格,流离失所将在一到两年内发生。“

许多GaN公司在未来1年半到2年的前景并不乐观,2014年的设备销售额将只有1000万到1200万美元,这意味着只有实力最强的公司才能在GaN应用的早期生存下来。然而,到2016年,GaN业务有望获得增长势头,收入将超过5000万美元的“心理阈值”。

推动所有预期中的合并、收购和许可协议将推动这一势头,并最终塑造GaN行业。一个这样的例子就是最新的transphorm和富士通的协议,这表明GaN正在通过价值主席扩散,并加强了领导者的市场地位。今天半导体报道了氮化镓器件集成:

世界各地的设备制造商正在竞争GaN功率设备的商业化。尽管Transphorm公司已经发布了其声称的第一个合格的高压商用GaN设备,该公司仍在性能、质量和生产率方面取得了显著的改进。有鉴于此,富士通、富士通半导体和Transphorm将结合他们在技术和制造方面的互补优势,使GaN功率器件解决方案能够快速地向市场交付,同时具有规模和可负担性。

新报告采用了在系统级别的GaN对硅的材料比较和回报时间模拟。在2013 - 2012年的时间段,例如EV / HEV逆变器,风力涡轮机,轨道牵引,电机驱动器和光伏逆变器等许多应用领域包括数据。

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