EPC发布EPC2104, 100 V增强模式单片GaN晶体管半桥。通过将两个eGaN功率fet集成到一个设备中，消除了PCB上所需的互连电感和空隙空间，从而使晶体管所占的板面积减少了50%。这既提高了效率(特别是在更高的频率下)，也提高了功率密度，同时降低了终端用户功率转换系统的组装成本。
EPC2104采用芯片级封装，提高了开关速度和热性能，功率密度仅为6.05 mm × 2.3 mm。EPC2104是理想的高频DC-DC转换和电机驱动应用。
EPC9040是2“x 2”，包含一个集成的EPC2104半桥组件，使用德州仪器LM5113门驱动器，供应和旁路电容。为了达到最佳的开关性能，电路板进行了布局，并且有多种探针点，便于简单的波形测量和效率计算。
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