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    • 氮化镓晶体管

    突出了

    无源元件

    氮化镓寻求扩大其在全球电力半工业品行业的足迹
    2016年5月20日
    宽带隙材料在半导体行业已经普遍使用了多年，但市场采用还没有达到行业所希望的水平。
    充电器集成电路

    高效eGaN FET发展委员会用于空气燃料无线电源标准
    2016年5月10日
    高效功率转换(Efficient Power Conversion)发布了EPC9065开发板，它可以作为AirFuel Alliance 4级和5级无线功率传输的放大器。
    离散功率半决赛

    Navitas半导体公司的第一款GaN功率芯片将硅抛在身后
    2016年3月21日
    近日，Navitas半导体公司发布了其首款氮化镓(GaN)功率芯片，使用其专有的AllGaN单片集成650V平台。
    18beplay下载

    The Power 30: Powerelectronics.com排名前30的半导体公司
    2016年3月10日
    powerelectronics.com的编辑们选出了30家半导体公司，它们的产品和技术成就了半导体行业的今天。
    氮化镓晶体管

    开发板具有50 A, 1 MHz的能力，以减少点负载应用程序的大小
    2016年3月8日,
    EPC9059半桥开发板，用于使用eGaN的高电流，高频负载点(POL)应用。
    氮化镓晶体管

    带有200 V eGaN®fet的开发板，可运行高达30 MHz
    2016年2月10日
    为电力系统设计者提供一种易于使用的方法来评估氮化镓晶体管的卓越性能，并使其产品快速批量生产…
    离散功率半决赛

    半桥GaN FET模块采用QFN (.PDF下载)
    2015年3月25日
    一个QFN包含一个80v, 10a GaN场效应晶体管半桥功率级和它的相关门驱动器。
    氮化镓晶体管

    半桥GaN FET模块采用QFN
    2015年3月25日
    德州仪器公司已经开发了一个完整的功率级，包括一个驱动器和两个GaN fet成半桥结构。动力阶段被安置在一个QFN包和是…
    氮化镓晶体管

    大功率氮化镓晶体管
    2014年12月23日
    GaN Systems Inc.推出了几种基于其专利Island Technology®的氮化镓功率晶体管，该技术可以在较低成本下生产高效、更小的晶体管。
    氮化镓晶体管

    第四代eGaN场效应管扩大了与硅场效应管的性能差距
    2014年7月27日,
    高效功率转换通过其第四代GaN FET提高了GaN FET性能的标准。新部件的导通电阻和电感降低。它们允许高电流…
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