你将学习
- 什么是环栅晶体管(SGT)技术?
- SGT将如何改进DRAM?
DRAM在计算机系统的非易失性存储器中占很大比重。最近已经做了很多工作来混合非易失性存储和DRAM。但是，在cpu、gpu等处理单元方面，DRAM的性能和容量仍然胜出。对更多内存的需求继续推动设计师使用更小的几何形状，但我们开始触及目前基于电容的解决方案的极限。
Unisantis已经开发了一种环绕栅晶体管(SGT)技术，这可能给DRAM存储器带来新的生命。它仍将采用传统DRAM的刷新方法，但减少了功率泄漏，应该可以在提高性能和整体功耗需求的同时进一步扩展。Unisantis将其新方法称为动态闪存(DFM)技术，尽管它不是NAND闪存那样的非易失性存储。相反，它是一项针对DRAM的技术，没有使用目前应用于DRAM实现的电容方法。
目前，平面晶体管和FinFET晶体管构成了存储和处理器晶体管技术的主要部分。改进的光刻技术提供了更好的性能、功率和面积(PPA)利用率。改进的PPA被阈下泄漏电流所抵消(图1)．这种静电泄漏是使用电池的移动设备的祸害。
FinFET采用垂直通道，从漏极到源极有横向电流流过(图2)．当晶体管开启时，该结构有效地增加栅极宽度，以提高单位面积上的驱动电流。改进的静电控制也减少泄漏电流时，晶体管是关闭的。使用finfet制造新芯片的过程需要增强，以制造出具有一致侧壁斜率和厚度的硅翅片。
DFM 4 f2SGT也像FinFET一样垂直倾斜(图3)．主要的区别是，SGT围绕着通道，而FinFET处理鳍结构的三面。这个结构可能看起来很复杂，但实际上很容易制造。它比DRAM保持更高的密度，具有非常低的漏电流和较长的刷新周期。
DFM提供更快的访问时间和更长的刷新周期(图4)．传统的DRAM使用电容，而DFM驱动晶体管。DFM读取也是非破坏性的。仍然需要一个刷新周期，但频率降低了，这为正常的读写提供了更多的带宽。
DFM阵列可以使用一个基本的交叉点结构来构建(图5)．高密度DRAM和闪存也采用了同样的方法。
DFM目前还没有商业化。DFM的发明者是dr。来自Unisantis的Sakui Koji和Harada Nozomu。他们在2013年发表了题为“动态Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT)”的论文th今年的IEEE国际内存研讨会。
