随着对提高系统效率的需求不断增加，开发用于高频电力电子应用的低损耗、大电流、高电压、坚固的功率模块至关重要。相对较高的MOSFET导通损失强调IGBT作为一个更好的选择，大多数应用需要阻断电压>1000 V和开关频率>5 kHz。IGBT模块是行业标准的功率半导体模块，适用于功率范围介于[1]和[1]之间的各种应用。在IGBT电源模块中，IGBT与自由轮二极管(FWD)集成，以保护它们不受感应开关的影响。这些模块中前馈器件的损耗对电路效率有显著影响。SiC肖特基二极管作为IGBT模块中的前馈器件，具有零反向恢复损耗，低反向漏电流，优异的热性能，从而提高了整体电路效率。
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