半桥GaN FET模块采用QFN (.PDF下载)

2015年3月25日
一个QFN包含一个80v, 10a GaN场效应晶体管半桥功率级和它的相关门驱动器。

德州仪器公司在半桥结构中封装了两个GaN fet和一个高频门驱动器,可以产生80v、10a的电压。LMG5200功率级采用先进的多芯片封装技术,并经过优化,可支持高达5 MHz频率下的功率转换拓扑。LMG5200输入兼容ttl,可耐受.......

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