Central Semiconductor推出了其最新的节能、高压UltraMOS MOSFET设计，在最大限度地提高功率密度的同时最小化总传导损失。CDM2206-800LR是一个6A, 800V MOSFET在TO-220封装。较低的RDS(上)0.8W和24.3nC的低栅总电荷是该UltraMOS器件的关键能效特性，超过了类似额定标准mosfet的工作性能。完整规格可在www.centralsemi.com/ultramos获得
Central的800V UltraMOS mosfet是电源和电源逆变器的理想选择，是与Central的HyperFast整流器的完美配对，为功率因数校正(PFC)应用中的移相补偿提供卓越的高速运行优势。UltraMOS设备有行业标准包和定制包。
CDM2206-800LR的定价为0.74美元，每2000件包装在套管或散装供应，可从Digi-Key, Future Electronics和Mouser Electronics获得。样品设备可根据要求直接从中央半导体(www.centralsemi.com)。除了800V设备外，Central还有600V和700个UltraMOS设备可用。
