德州仪器公司引入了一种新的60V n沟道FemtoFET功率晶体管，提供了低电阻:比传统60V负载开关低90%，降低了末端系统的功率损耗。CSD18541F5采用1.53毫米× 0.77毫米硅基封装，比SOT-23封装中的负载开关占地面积小80%。
CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)保持典型的通阻(RDS(上)) 54米，设计和优化，以取代标准小信号mosfet在空间受限的工业负载开关应用。微小的陆地网格阵列(LGA)封装具有0.5 mm间距的垫之间，便于安装。
CSD18541F5扩展了TI的FemtoFET mosfet NexFET技术组合，包括更高的电压和制造友好的足迹。
CSD18541F5主要特性和优点:
- 超低54米的RDS(上)在10-V门到源(VGS)比传统的60v负载开关低90%，提供更低的功率损耗
- 超小的1.53-mm- 0.77-mm- 0.35 mm LGA封装比SOT-23封装中的传统负载开关小80%，减少了印刷电路板(PCB)的空间
- 制造友好的0.5毫米垫间距
- 集成静电放电(ESD)保护二极管保护MOSFET栅过电压。
CSD18541F5采用3针LGA封装，价格为0.14美元，每1000个单位。
