英飞凌科技推出了CoolMOS系列的一款新设备:theCoolMOS C7金650 V在无铅封装中。这种改进的超结(SJ)半导体工艺和先进的SMD封装设计的结合，在硬开关应用中提供了无与伦比的性能。该包占地面积小，为服务器、电信和太阳能应用带来了功率密度优势。
的C7黄金CoolMOS该技术具有4针开尔文源能力，并改善了to - lead - less封装的热性能。这使得SMD解决方案能够适用于高电流拓扑，如功率因数校正(PFC)高达3kw。增加的C7金性能导致更高的效率，产生更少的开关损耗，从而更少的热损失。C7 Gold技术拥有世界上最低的R-on和只有115毫米²的小尺寸。这也带来了功率密度与最低的RDS(上)在这样一个小的足迹中可以达到33兆瓦。
与其他传统的SMD封装(如D²PAK)相比，to - leadless封装的占地面积减少了30%，高度减少了50%，空间减少了60%。封装也可以连接为标准的3脚MOSFET或使用4脚开尔文源概念。这个特性的实现在效率上带来了额外的好处，特别是在满载时，并且通过减少门上的振铃使它更容易使用。
高质量的to - lead- less封装具有非常低的源电感1nh，无铅和MSL1兼容。它的特点是易于直观的焊锡检查，并适用于波峰焊和回流焊。与通孔封装相比，无引线封装具有更高的功率密度。由于SMD封装的安装过程简单，它还可以帮助实现制造成本的节约。
的CoolMOS C7 650 V黄金现在可以订购TO-Leadless了。
