Transphorm公司推出了TPH3207WS GaN场效应晶体管(FET)，在TO-247封装中具有最低的导通电阻(41 mW)，在不牺牲效率的情况下降低系统体积高达50%。设备的R值很低DS ()和超低Qrr (175nC)将GaN的优点引入到以前依赖硅的应用中，使工程师能够在高压功率转换应用中实现功率密集解决方案，减少组件数量并提高可靠性。
TPH3207提高了系统的可靠性，性能和功率密度在一个易于处理的级联码配置。这些优点正在硬开关桥和连续传导模式(CCM)无桥图腾柱功率因数校正(PFC)设计中得到实现，这些设计被用于车载充电器、太阳能逆变器、电信电源和其他功率转换应用。transhorm的GaN FET产品组合也得到了加强，在行业标准TO-220和PQFN封装中引入了TPH3208系列(130mw)，进一步实现了GaN革命。
TPH3207的主要特性和优点:
- 完全限定GaN技术。所有Transphorm设备的广泛认证和长期可靠性，包括早期婴儿死亡故障和长期磨损故障的扩展测试，是任何GaN制造商都无法匹敌的。
- 易用性。Cascode配置(EZ-GaN)可以很容易地用现成的驱动程序驱动，它的TO-247行业标准封装允许轻松的设计和开发和低EMI。
- 支持更高效的拓扑。通过实施CCM无桥图腾柱PFC设计，使设计者减少40%的总电源损耗，同时实现高达99%的效率。
- 功率密度加倍。从低容量和栅极充电提高切换速度，使设计人员能够降低整体系统成本。
- 包装，可用性和价格:TPH3207WS样品现在可以购买，价格为22.69美元，1000个单位的数量。
_pushing_performance_beyond_silicon.png?auto=format&fit=crop&h=139&w=250&q=60)
