semi - south实验室正在交付据称是行业内第一个650V 55mΩ SiC jfet器件。快速的开关速度、大电流处理能力以及SiC优越的热性能使这些器件成为电力电子应用的理想候选器件。他们采用垂直沟槽JFET结构，允许行业领先的单位面积上的电阻，比竞争技术低5到10倍。
这种1200v开关的应用包括太阳能和UPS，也需要在650v的低电压开关，以提高效率和更高的功率密度，电网电压或总线电压较低的解决方案。此外，汽车行业在电动汽车驱动系统上也存在分歧，一些客户需要1200伏或更高的电压，而另一些客户只需要650伏电压。
650V/55mΩ SJDA065R055 SiC jfet具有积极的温度系数，易于并联和极快的开关，在150°C无“尾巴”电流。这些新型电压控制器件的典型RDS(ON)是0.044Ω，它也表现出低栅电荷和低本征电容。
这些to -220封装器件的典型应用是太阳能逆变器、SMPS、PFC电路、感应加热、UPS和电机驱动器。
SemiSouth实验室有限公司
零件号:SJDA065R055
