摩尔定律一直是推动集成电路性能向前发展的一个有影响的参数。几十年来，每个电路的晶体管数量大约每两年就翻一番。但这种速度会被超越吗?
14纳米工艺和FinFET技术的开发人员认为可以。英特尔、IBM、东芝和三星都在采用14纳米工艺，并在研发阶段尽快实现FinFET技术的量产。
14纳米工艺本质上是更便宜的，因为掩埋的氧化物层产生内置的蚀刻停止，使得蚀刻非常简单。
FinFET技术是加州大学伯克利分校研究人员创造的一个术语，有望带来一些令人印象深刻的性能优势，包括在亚微米级对短通道效应的更严格控制和更低的断态电流。
此外，该技术将允许单个晶体管作为一个多栅器件。实验栅极堆材料和器件结构的使用也会显著影响模拟器件的性能。
IBM开始了
IBM已经致力于在14纳米节点上采用基于绝缘体上硅(SOI)晶圆的finfet技术。事实上，该公司打算在其所有的14纳米产品中使用SOI，包括其内部使用的服务器处理器以及为自己和客户制造的asic。
IBM半导体研究中心副总裁Gary Patton在近期发表演讲，解释了SOI如何提供散装硅晶片没有的优势。
“工艺复杂性降低了，因为埋置的氧化层创建了一个内置的蚀刻停止，这使得蚀刻非常简单。而且，在14纳米节点上，成本问题消失了。”
从根本上讲，这意味着14nm过程中涉及的减少的过程步骤抵消了SOI晶片的成本。SOI的另一个优点是对软误差发生的高度免疫力。
IBM已经利用SOI技术开发了DRAM设备。该公司认为，将这一技术应用到垂直配置的设备上将会相对简单，这是正确的。
其他玩家
由三星、GlobalFoundries和东芝等公司组成的Fishkill联盟预计将批量生产14纳米节点的finfet。IBM还与意法半导体(STMicroelectronics)和乐帝(Leti)合作，开发一种平面SOI技术，提供完全枯竭的技术。
与此相关，研究机构Imec已经为14纳米逻辑芯片开发了早期版本的工艺开发工具包(PDK)。这种PDK的目标是引入许多新技术，如FinFET技术和极紫外(EUV)光刻技术。
Imec及其合作伙伴正在开发一种使用PDK的14纳米测试芯片，将于今年晚些时候发布。该芯片将促进14纳米节点的互连、工艺、光刻元件和电路性能。
与这些公司“全速前进”的14纳米技术相比，台积电(TSMC)可能已经宣布了追赶FinFET技术的计划。然而，该公司规定，在14纳米节点成为主流工艺之前，该技术将无法提供给客户。
返回2002年，台积电演示了它被称为Omega FinFET的产品，这是一个可以在0.7 V上运行的25纳米晶体管。然而，这一示范不会导致商业实施。
因此，可以合理地说，公司朝着14纳米FinFET技术的发展速度可能意味着集成电路的发展有望超过摩尔定律，摩尔定律最初认为，电路上的晶体管数量将每两年翻一番。
也有传言称，英特尔已经在研究如何在几年内从14纳米进步到8纳米。是时候让摩尔定律减速了吗?也许吧。这里唯一的疑问是，在8纳米，硅的理论操作极限将会被超越。那么接下来会发生什么呢?答案就在石墨烯中。
