碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是能够在较高电压，温度和开关频率下操作的两个主要宽带隙（WBG）功率半导体材料。它们为实现更高的性能提供了极大的潜力，以及更紧凑且节能的电力系统。多年来，我们已经看到了WBG设备在先前使用基于硅的解决方案的许多应用中。为了引用一个最近的一个例子，已经通过Rohm公布了用于汽车应用的完整SiC电源模块，以便在FIA公式E的第四季使用Venturi公式-E团队使用。
电力电子行业的成员意识到需要共同标准来帮助WBG供应商区分其解决方案。法规和标准是鼓励电力电子设备的效率，定义产品类型和建立最小质量和可靠性水平的重要工具。标准帮助公司在研发中更具战略性地投资，而不是从头开始设计一切。一旦建立了常用格式，公司就可以根据标准提供产品，并致力于开发创新以区分其产品的研发努力。
为此，联合电子设备工程委员会（JEDEC）最近宣布了新委员会的形成：JC-70宽带隙电力电子转换半导体。新的JC-70.委员会最初将有两个小组：JC-70.1 GAN电力电子转换半导体标准和JC-70.2小组委员会的SIC电力电子转换半导体标准。焦点领域采用可靠性和资格程序;数据表元素和参数;和测试和表征方法。
JC-70由Infineon，Texas Instruments和Wolfspeed，Cree Company的临时椅子引导。“为了满足当今能源和产品要求的需求，该团队正在帮助创建客户需要设计电源的成熟行业基础设施，”德克萨斯乐器技术创新建筑师科技创新建筑师博士说。“广泛的学术和行业参与表明宽带隙来遵守这些要求的重要性。”
“我们的共识是JEDEC是在公共论坛继续延续这些努力的逻辑之家，该团队很高兴邀请行业参与这个新的JEDEC委员会，”沃尔夫斯拉迪博士博士博士博士博士的业务发展和计划经理。“创造清晰，通用标准是推进采用宽带隙技术的关键一步。这些新参数将使用户能够将SIC和GAN设备设计为明天的系统，从而创造更节能的未来。“
目前，减少能源消耗是电力电子行业的共同目标，其中SIC和GAN材料已经开始茁壮成长。J-70委员会的创建是推动通过GAN和SIC技术的迈出一步，同时还帮助宽带隙市场以更快的速度增长。
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