混合信号集成中的聚类功能在商用现货设备(COTS)、特定应用和客户专用专用集成电路(asic)和多芯片(MCM)封装集成等领域是一个蓬勃发展的趋势。这对电力转换工程师来说是个好消息，因为他们希望通过降低成本、组件数量和空间的设计来争夺市场份额。在经历了去年的下滑之后，2003年有望成为重大整合的一年。新兴的体系结构和拓扑有可能在功率转换设计中实现更高级别的集成。
具有讽刺意味的是，随着越来越多的设计包括模拟IP，混合信号技术从纯数字方面得到了巨大的推动。这将大大促进混合信号技术的发展，而不是模拟方面的低量需求。现在是0.45µm，下一个混合信号的成本优化特征尺寸是什么?在较低的特性规模下，IP创建活动有望降低功能成本。另一方面，封装的COTS和ASIC设备成本可能不会随着一个特定设备组合中增加更多的功能而降低。
对于电源，新兴的架构提供了2 - 5芯片设计的途径。两种拓扑/架构，数字控制和二次侧控制，可能会提供显著降低芯片数量的途径。对于交直流电源，我们可以期待大量用于120 vac应用的离线ic和功率ic，以及一些用于240 vac离线设计。直到最近，ASIC房屋的电压上限还是80 V。期待今年提供的100 v和更高的ASIC技术。
BiCMOS将继续成为制造电源ic的首选。COTS设备和ASIC设计将采用更高密度、低功耗的便携式电子ip。
COTS供应商是否采用了ASIC方法?一些传统的标准设备供应商正在使用ASIC IP方法，为组合调节器设备(包括一个或两个同步降压调节器和三到四个LDOs的集成电路)提供更快的上市时间。快速设计需求可以推动标准集成电路供应商更多地采用这种工艺。
在另一方面，集成电路和分立功率半导体设计师将为“功能性”功率芯片提供独特的替代方案。这些“初创企业”在这里有一个绝佳的机会，因为传统供应商正努力将技术改造融入他们不够灵活的流线型生产线。
在这一年中，传统的集成电源IC的边界将几乎不会发生变化。这是由于两个成本牺牲。第一个是横向BCDMOS mosfet造成的巨大硅牺牲。另一个牺牲是20%的芯片面积需要大量的掩模(15到18个)。BCDMOS继续用于低安培范围的MCM功率ic。MCM功率集成电路为更高的电流提供了成本最低的解决方案。
