1959年，当Dawon kang和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)时，电力电子学领域取得了突破性进展。五年后，首个商用MOSFET投入生产。从那时起，一代又一代的MOSFET晶体管使功率设计人员能够实现与他们的双极前辈不可能达到的性能和密度水平…
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1959年，当Dawon kang和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)时，电力电子学领域取得了突破性进展。五年后，首个商用MOSFET投入生产。从那时起，一代又一代的MOSFET晶体管使功率设计人员能够实现与他们的双极前辈不可能达到的性能和密度水平…
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