日期：2022年8月10日，星期三
时间：11:00 AM EDT / 8:00 AM PDT
赞助：Mouser电子和ROHM半导体
期间：1小时
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概括
作为SIC Power设备的领导者，Rohm致力于达到更高的质量标准，同时教育未来的工程师。在本演讲中，我们将比较第二，第三和最新的ROHM SIC特征。还将讨论对电压选择，RDS（ON）和可用软件包的审查。我们将探索如何使用开尔文连接来提高驱动效率，并回顾Rohm的隔离栅极驱动程序拓扑和隔离等级。还将提供简单驱动程序与复杂驱动程序的概述。加入我们，以扩大您对碳化硅（SIC）设备的知识和隔离的门驱动器。- 比较第二，第三和第四代SIC特征
- 电压选择，RDS（ON）和可用软件包
- 使用开尔文连接来提高驱动效率
- 孤立的闸门驱动器拓扑和隔离等级
- 简单驱动程序与复杂驱动程序
演讲者
ROHM半导体的应用工程师Mitch van Ochten
Mitch van Ochten目前是ROHM半导体的应用工程师。他的电力电子经验包括针对高频焊机的登机口驱动器和2.2兆瓦的风力涡轮机转换器的设计。米奇（Mitch）是IEEE的高级成员，拥有五项美国专利。您可以通过mvanochten@rohmspoomedonductor.com与他联系。
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