Doherty放大器—一种改进的B类拓扑—已经使用多年。它是由著名的贝尔电话实验室的William H. Doherty在1936年开发的，用来容纳高峰值平均功率比的信号。它采用了两个非对称布局的放大电路，在整体放大器中有一个低功率载波放大器和一个高功率峰值放大器(图1)．(注:此“B类”与EN55022-B和FCC B类标准中传导和辐射EMC要求的另一个流行的“B类”评级无关。)
不像标准的B类放大器，可以“夹”超过可接受的高输入信号水平，Doherty放大器实现了高水平的线性，同时保持良好的功率效率。从低功耗到高达50000 W的大功率，它都被用于实现中。近几十年来，Doherty方法在基站和其他情况下的兴趣增加了，它能够平衡相互冲突的需求，并在线性和效率方面进行权衡，这是一个主要的优点。
为了鼓励在低千兆赫区域使用这种方法，Ampleon介绍了BLC10G27XS-400AVT，这是一个400 w的非对称Doherty RF功率晶体管，目标是基站多载波应用，频率从2.496 GHz到2.690 GHz。LDMOS器件提供13.3 dB的功率增益，典型的漏极效率为45%。这种坚固耐用的功率放大器可以处理驻波比不匹配高达10:1，这对于经常经历极端不匹配条件的基站应用来说是一个重要因素。
该功率放大器(PA)还具有集成ESD保护，具有提高Doherty性能的低输出电容，并包括内部输入和输出阻抗转换，从而使PCB更容易匹配50-Ω接口。它被安置在一个六引线，空腔塑料(ACP)，“无耳”SOT-1258-4封装，提供低热阻增强优良的热稳定性(图2)．
当然，每个PA都需要一个驱动器，Ampleon提供BLM9D2327S-50PB MMIC，它本身就是一个doherty拓扑设备。在15页blc10g27xs - 400 avt数据表包括测试电路的PCB布局，带有特殊PCB材料的调出和完整的材料清单。进一步的供应商支持包括仿真模型、应用程序说明和白皮书，如14页的“Beplay信誉超高频中的Doherty架构．”
甚至还有一个射频功率晶体管寿命计算器它允许设计人员输入有关操作条件的数据，并返回预期结温和平均失效时间(MTTF)等因素的估计。
