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在开关模式功率电路中用GaN交换Si LDMOS
2020年4月7日
由德州仪器公司赞助:GaN fet的特性太好了,不能让它成为高功率、高密度应用的“开关”。
卢夫兰泽尔
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Arvydas Lakacauskas, Dreamstime.com
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