松下周一宣布，该公司将开始用氮化镓制造开关功率晶体管的电路。氮化镓是一种材料，在电力电子领域已经在传统硅的基础上取得了进展。
新的栅极驱动器AN34092B能够以极高的速度打开和关闭晶体管，同时限制可能对芯片造成永久性损害的热量。更快的开关速度也使得电流更难从电路中漏出，从而降低了效率。
这家日本芯片制造商表示，他们专门为其氮化镓晶体管(X-GaN)调整了栅极驱动器，这种晶体管将于本周在德国慕尼黑举行的电子贸易展(Electronica trade show)上展出。该公司表示，X-GaN技术的额定电压为600伏，比普通硅芯片具有更高的耐热性和更高的效率。
氮化镓是众多宽带隙半导体中的一种，在通过太阳能逆变器和数据中心转换或移动电力时，它比硅具有更好的电性能。松下的晶体管也被用在一个外骨骼它可以帮助人们搬运重物。
关于氮化镓和其他材料如碳化硅将接管电力电子工业的讨论已经很多了。但销售额的增长并不像行业分析师和企业高管预测的那样快。这些设备的封装和连接到传统硅部件的成本仍然很高。
松下表示，为了开发氮化镓晶体管的独特结构，他们从零开始制造了栅极驱动器。该公司表示，它在保护晶体管免受意外电压峰值影响方面取得了进展，这种情况在工厂设备和电动汽车等耗电设备中并不少见。
该公司还表示，它将开始批量生产两种类型的晶体管——PGA26E07BA和PGA26E19BA——这两种晶体管可以与栅极驱动器配对。该公司在日本鱼津的一家工厂生产这种设备。
