国际整流器表示其IRFHE4250D FastiRFET双功率MOSFET在25 A与级别的传统电源块设备相比，25 A的功率损耗降低了5％以上。MOSFET采用该公司的最新一代硅，配有6乘6毫米PQFN封装，带有暴露的顶部，用于后侧安装。它的包装加上具有强大的热性能，低导通电阻，栅极电荷升压功率密度，降低开关损耗，从而提高了整体效率。该设备有资格达到工业级和湿度敏感级别2（MSL2）。有针对性的12-V输入DC-DC同步降压应用包括高级电信和Netcom设备，服务器，图形卡，台式机，Ultrabooks和笔记本电脑。
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