Electronicdesign 7170 0514 dspetromarpromo

分析MOSFET参数在最高工作温度附近的偏移

2014年3月17日
MOSFET的设计将受益于在接近供应商指定的最大工作温度时的建模性能,此时漏源极压降和相关的传导损耗将显著增加。

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