CISSOID推出了HADES®的新版本，它的交钥匙隔离门驱动参考设计，专为支持半南碳化硅(SiC)，正常断电的jfet (SJEP120R100)。
HADES®参考设计基于CISSOID芯片组THEMIS, ATLAS和RHEA，在金属和陶瓷封装中维持结温从-55°C至+225°C。利用其在高可靠性组件方面的长期经验，CISSOID还将在未来几个月推出低温版本，温度限制在125°C，预计使用寿命至少20年。
该门驱动解决方案专注于交通和可再生能源的应用，可实现:
- 优化了SemiSouth的SiC JFET技术的开关，为您的系统提供最高的开关效率
- 在125°C条件下，可可靠、稳健地运行20年以上
- 批量生产成本低
驾驶semsouth公司的SJEP120R100 SiC JFET，测试板能够硬开关600 V和10 A，关断和接通时间分别仅为14 ns和24 ns。测试板还显示了非常低的开关损耗(总功耗小于124µJ)，比标准硅igbt低10 ~ 20倍，但也低于许多其他SiC功率开关。总体而言，该系统展示了卓越的功率效率，充分利用了半南器件的优势。
CISSOID HADES®半桥隔离门驱动板，P/N EVK-TIT0636B，现在可以从CISSOID进行电气评估与高温版本的芯片组;一个单通道，低成本版本的隔离门驱动芯片组将在未来几个月推出。应用说明(CISSOID AN-121168)也可从CISSOID获得。
凹边的
零件号:地狱
