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内存通道Flash存储提供快速RAM镜像

2014年8月12日,
Diablo Technologies最新的DDR4内存通道存储闪存将支持NanoCommit,一种快速RAM镜像技术。

暗黑破坏神技术已经推出了基于内存通道的闪存(参见“大规模Flash移动到微处理器旁边”)技术通过许多供应商包括IBMSanDisk.SanDisk ULLtraDIMM Solid State Drive是一款DDR3 DIMM,采用了Diablo Technologies的内存通道存储(MCS)架构。它本质上是把一个dram兼容的控制器和一堆NAND闪存放在内存上。处理器可以以比基于PCI Express的NVMe或SATA/SAS驱动器低得多的延迟访问闪存存储,NVMe或SATA/SAS驱动器在PCI Express接口和闪存芯片之间有一个额外的控制器。

Diablo Technologies公司向DDR4的最新举动是意料之中的。它叫做碳2它提供更快的吞吐量和更低的延迟。但《暗黑破坏神》也添加了一个新的转折。最初,flash是作为一个传统的块设备来访问的。所有主要操作系统的设备驱动程序都可以提供对插入到DIMM插座的闪存的访问。Diablo还与一些开发者和大学合作,利用直接访问闪存存储的优势。这可以提供一些有趣的速度,但需要应用程序更改,而块设备看起来像任何其他闪存或磁盘存储。

这种新方法被称为NanoCommit(图1)它利用了低层MCS接口,但采用了精简的API。本质上,NanoCommit充当DRAM的镜像。镜像可以发生在内存行级别,包含64字节事务。这可以将延迟减少到3.3微秒以下。与更大的区块交易相比,这也提高了交易率。

图1所示。NanoCommit将小事务中的RAM内容复制到MCS闪存中。

NanoCommit不是用来镜像所有的DRAM的。相反,将使用API指定用于镜像的块。这将允许较小的更改(如数据库行更新)快速发生,而软件开销很小。

开发人员将能够选择使用哪种方法与MCS内存。两者都可以同时使用。

2但是开发人员可以利用MDK2开发工具包来模拟DDR4实现。它是基于fpga的,但它提供了处理早期开发(包括设备驱动程序创建)的能力。接下来是Linux、Windows和VMware驱动程序的参考设计工具包。

与NVDRAM相比,MCS具有更高的容量(参见“非易失性内存和NVMe Spice Up闪存峰会”)它将DRAM和flash集成在同一个内存中。MCS允许服务器管理人员在有限数量的内存插槽中决定闪存和DRAM的组合。幸运的是,服务器上的内存插槽越来越多。

NanoCommit使MCS能够与NVRAM解决方案竞争,同时提供更高的容量和更低的每千兆字节成本。Diablo Technologies和他们的合作伙伴正瞄准需要高容量和高可靠性的大型服务器群。该技术也适用于嵌入式应用,如高速数据记录。

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