与Gaas Fets156配合的单层芯片电感器

与GaAs fet结合的单层芯片电感

1998年11月1日
这种单层光蚀刻芯片电感器是设计用于GaAs场效应晶体管匹配电路,如低噪声放大器和压控振荡器。PTL1608是一个高度稳定的0603芯片电感具有3%的电感公差超过

的第1 放大的图像

这种单层光蚀刻芯片电感器是设计用于GaAs场效应晶体管匹配电路,如低噪声放大器和压控振荡器。PTL1608是一个高度稳定的0603芯片电感,在全温度范围内具有3%的电感公差和100 ppm的温度系数。自谐振频率被控制在10%以内,以允许在陷阱电路中使用。电感被指定为100或800 MHz,而Qs通常在1800 MHz时为50,800 MHz时为35。SMT电感的取值范围从1到27 nH,封装在4000片的磁带和卷筒上。

公司:TOKO AMERICA INC.

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