栅极驱动变压器具有良好的隔离性能和可靠性，常用于半桥式功率电路的驱动。然而，当你想在很长一段时间内关闭这两种开关时，它们就构成了挑战。
此应用程序通常要求GDT与开放集电极一起驱动，并且在“ON”时间短，变压器的字段不会存储足够的能量以确保设备的正确关闭。在这种情况下，必须添加负载电阻，其使用更多的功率并提供边际性能。
设计载于图1允许驱动信号到MOSFET范围从50%到0%，同时仍然提供一个快速关断，不能实现简单的负载电阻。当T1的一次通电时，二次电流通过D1，给栅极充电。
当变压器的一次被释放时，二次产生一个低能量的负尖峰，然后变为零。当任何电荷停留在Q2的栅极上时，Q1将电流直接分流到Q2的源上，仅使用变压器的二次信号作为控制信号。这允许栅极电容迅速放电。
为了显著扩大变压器选择的数量，电路使用了一个主驱动方案，不需要为GDT包括一个单独的复位绕组。当然，多个次级可以用来控制多个设备，每个设备都有自己的次级电路。
图2展示了一个典型的前向变换器应用中的电路。背靠背的齐纳二极管旨在钳住任何由泄漏和杂散电感引起的电压尖峰。然而，560-Ω负载电阻，连同栅极电容和低漏电流变压器设计，通常足以抑制这样的尖峰，所以齐纳稳压器可能不需要。
