我要举办我的两个会议当闪存峰值（FMS）但是这里有一些关于会议的一些笔记，包括新的形式因素英特尔用于闪存存储。闪存没有机械限制旋转磁介质所需的机械限制。这已经决定了5.25英寸的形式因素。下降到2.5英寸。硬盘和固态驱动器（SSD）遵循适合。英特尔的统治者形容因子丢弃了这种遗留形式因素，适用于适用于机架安装系统的更长的布局。
英特尔建议的标尺外形旨在利用Flash Memory在Form系数设计中的灵活性。
Intel计划在使用此新表单因子传送Optane和NAND闪存设备上。像这些一样的高密度驱动器将允许1个储存的存储器装入1U插槽。外形还应有助于降低电源和冷却要求。细节仍然是粗略的，所以这种形式因素可能具有唯一的连接器或利用所使用的连接器U.2表单因素支持单端口和双端口PCI Express / NVME接口。
英特尔也展示了其双端口Optane SSD驱动器和DC D450X和DC D4600系列NAND闪存驱动器。3D NAND Flash驱动器使用英特尔的新SATA控制器。驱动器目标硬盘更换。与硬盘驱动器相比，它们具有提高的能效和更好的可靠性，可证明200x性能。这些高耐久性驱动器可在7毫米高，2.5英寸中提供。形成因素。
Liteon.将谈论其在新闪存驱动器中使用机器学习技术。“我们处于探索机器学习对内存的好处的早期阶段，但所有迹象表明我们使用这项技术设计了我们所有的SSD，”NVM Central Lab在Lite-on Storage Group中的NVM Central Lab主任说。“我们的EP3系列和即将到来的EPX NVME M.2驱动器将是我们首次采用机器学习，智能读取重试，这实现了81％的读取重试性能，而传统系统的9％。”
Micron的9200系列NVME U.2 SSDS使用3D NAND闪光灯，可支持高达11个TB的存储空间。它的9200 FlexPro Flex容量功能允许用户根据所需的性能和耐力来调整不同工作负载的驱动器的容量。驱动器支持连续读取传输速率高达4.6 gbytes / s，它们可以提供超过1米的随机读取IOPS。驱动器支持PCI Gen 3 X4 NVME接口。
Micron的9200系列NVME SSDS利用3D NAND Flash来打包，最多11个T字节。
9200系列采用Eco，Pro和Max版本。ECO为11 TBETE驱动器具有15.7 PBETE耐力率;Pro具有13.7 TBETETETETETET 7.68 TBYTE驱动器;最大值为6.4 TByte驱动器具有34.7 TByte耐久性。
Liteon开发人员使用机器学习技术来确定错误恢复中的关键参数的最佳值。开发人员还使用这些技术来帮助确定最有效的恢复流程，因此驱动器能够比现在更快地恢复数据。
microSemi将展示其NVME2108控制器，该控制器旨在处理3D NAND闪光灯，使用四个独立的闪光灯通道超过14个TB的容量。它支持U.2接口中使用的PCIe Gen3 X4或双独立PCIe Gen3 X2（Active Active / Standby）主机接口，并提供标准企业NVME主机控制接口。除了强LDPC Flash ECC支持外，该芯片还支持XTS-AES-256加密。该系统旨在处理电源故障并突然关闭而不会丢失或损坏数据。
NVME2108为NVME接口，闪光界面和系统控制器提供可编程支持。可编程闪存支持旨在处理SLC，MLC，Enterprise MLC和TLC Flash，具有切换和ONFI接口。
NVME2108补充了MicroSemi现有的NVME1032。高端NVME1032具有类似的特征，但具有PCIe Gen 3 X8或双PCIeGen 2 X4接口。
