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2015年度最佳:高带宽内存帮助GPU提升性能

2015年11月18日,
AMD的高带宽内存(HBM)将3D堆栈的DRAM放在同一芯片上作为GPU,允许R9 Radeon系列GPU板在紧凑,低功耗包装中提供高性能图形。
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选择一个电子设计最好的奖获得者始终呈现出挑战,看看每年出现的新技术是如何出现的。然而,今年,amd's高带宽内存(HBM)吸引住了我的眼球。该技术允许多个3D DRAM堆栈包含在与AMD最新的GPU相同的包中(图。1)

1.AMD’公司的“高带宽内存(HBM)”将多个3D d - ram堆栈与GPU放在同一芯片上。

AMD实际上是在HBM工作七年根据Bryan Black,该公司的高级家伙。当AMD意识到GDDR5不会扩大以匹配不断增长的GPU性能时,该项目得到了开始。

将存储芯片放置在硅插入器上不仅减少了系统占用空间:它还显著增加了内存带宽,因为HBM没有多路复用芯片外内存的引脚限制。HBM的总线宽度为1024位,而GDDR5的总线宽度为32位。HBM可以提供100gbytes /s/栈。R9 Radeon系列的GPU板有四个堆栈,包括R9 Nano(图2)。HBM方法也是更高效的。对于GDDR5的带宽为10.66 Gbytes / S / W,而HBM超过35 Gbytes / s / w。

包装只是难题的一部分。“DRAM只是等式的一部分,”布莱恩笔记。“在包装,装配和测试中的许多生态系统合作伙伴以及DRAM以及DRAM,建立完整的解决方案所需的贡献。AMD发现了高度能力的合作伙伴,开发将最终产品带到市场所需的基本技术。“

虽然硅中间体的使用增加了,但它已经降级到高端解决方案像Xilinx的Virtex-7 2000t。插入器的优点是能够混合芯片技术,允许系统中每个芯片的优化设计。在Xilinx的案例中,它是加入Serdes。在AMD的情况下,它是HBM内存堆栈。

2. R9纳米是一种紧凑的平台,采用AMD的HBM / FIJI-GPU组合。

AMD的实现实际上更复杂,因为HBM是逻辑接口芯片顶部的3D堆叠模具。这些模具通过硅通孔(TSV)采用提供垂直连接。

HBM的R9系列4千兆基本上为AMD的斐济GPU提供存储。该平台支持Microsoft DirectX 12、Open GL、Mantle和Vulkan,并且可以轻松为高端游戏玩家处理4K屏幕。斐济GPU有4096个流处理器,64个计算单元和256个单元。其计算性能为8.19 TFLOPS。R9纳米板只使用175w的电源,并插入x16 PCI Express Gen 3插槽。

R9系列支持其他AMD技术,包括FreeSync,液晶仪,eyefinity和交火。FreeSync同步GPU和CPU游戏操作。LiquidVR通过提供服务以将运动到光子延迟降低到10毫秒的服务来帮助虚拟现实显示。Eyefinity提供多种显示器支持,而交叉飞费允许多个GPU连接以实现更高的性能。

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