存储供应商正在展示他们最新的商品闪存峰会。这包括Samsung 3D，48层V-NAND芯片等设备(无花果。1(一)]在3位多级单元（MLC）闪存中的256 GBits中包装。这是一个芯片上的32 GB。不狼，东芝的BICS 48层，3位MLC闪存芯片[如图。1（b）]还有256岁的储存。三星的单元格使用3D充电陷阱闪光灯（CTF）结构。
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TOSHIBA还宣布了一台16层NAND闪存设备，通过硅通孔（TSV）技术使用。这允许芯片以超过1Gibt / s的速率传输数据。该方法还通过将核心电压降低至1.8 V和I / O至1.2 V来减少一半的电源要求。虽然48层器件将提供高容量，但TSV芯片提供低延迟和高带宽，芯片具有高度的IOPS/ w。
Riccardo Badalone是暗黑破坏神技术的首席执行官和联合创始人，并通过他的主题演讲开始了会议，“中断的记忆技术使新的内存应用程序能够。”当然，他在谈论暗黑破坏神技术'新的DDR4 Memory1 DIMM（图2）。Memory1 DIMM可提供高达256 Gbytes的电容。这是DRAM DIMM中可用的4倍，并且闪存位于内存通道上，而不是PCI Express Bus（看“内存通道闪存存储提供快速RAM镜像”的）。
希捷正在吹捧其PCIe Gen 3，NVME支持其Nytro XF1440 2.5-In和Nytro XM1440 M.2 SSD，可提供25,000个IOPS / W.热插拔驱动器使用SFF-8639连接器，最大容量为1.8 TB，而M.2设备支持高达960个Gybtes。自加密驱动器（SED）可用。
有关英特尔和Micron的XPoint 3D存储器的讨论，Altera正在演示其NAND闪存参考设计，可以将闪存的寿命延长到7次。参考设计使用了Arria 10 SoC并实现了Mobiveil的Universal NVM Express Controller（UNEX）。
圣克拉拉在闪存中从来没有沉闷的时刻。
