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    高功率密度SiC mosfet的优点(下载)

    2022年1月25日

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    在降低供电成本的同时提供更高的功率密度和效率是电力行业面临的挑战。行业倡议和全球法规是推动这一努力的动力能源之星，欧盟备用计划，80 +铂,小盒子的挑战．

    碳化硅(SiC)的击穿电压为300千伏/毫米波，是硅的10倍。SiC的导热性大约是硅的三倍，因为SiC器件可以在175°C以上的温度下工作。为硅设计的封装不适合碳化硅器件，因此它们有自己独特的封装。

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