电动汽车电池充电站、逆变器和其他功率转换器的设计师们开始利用新型宽带隙半导体(如氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC))，以及有源中性中心钳(ANPC)等新电路设计。他们帮助提高效率，创造更小尺寸的产品。
SiC和GaN mosfet在更高的电压和电流水平上提供快速开关。igbt还广泛用于更高电压和电流水平。较新的设计，如ANPC允许模块化，允许转换器堆叠，以提供所需的输出功率。除了电动汽车电池充电器，其他应用，如太阳能逆变器可以受益于采用这些新方法。
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