我们的技术为我们的客户提供了最简单的途径,以升级他们的传统电源设计或获得最高的功率密度在他们的新设计,以最小的努力。我们的技术可以直接替代PFC、LLC或PSFB拓扑的Si超结,并与任何SiC MOSFET竞争对手的栅驱动要求直接兼容。
此外,我们拥有SiC器件中性能最高的体二极管,最低的超温Qrr,近5 v的电磁干扰抗扰阈值电压,以及卓越的短路额定值。所有这一切都伴随着行业最广泛的SiC分立晶体管组合。
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